Interface structure and in-plane spin transport in MnAs/III-V-based heterostructures on (111)B
Interface structure and in-plane spin transport in MnAs/III-V-based heterostructures on (111)B
(111)B 上 MnAs/III-V 基异质结构的界面结构和面内自旋输运
批准号：
18K04227
负责人：
Akabori Masashi
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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CNRS(フランス)
法国国家科学研究中心（CNRS）
法国国家科学研究中心（CNRS）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1103/physrevb.103.134408
发表时间：
2021-04-07
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
[Helman, C., Camjayi, A., Tortarolo, M.]
通讯作者：
Tortarolo, M.
Spin injection and detection in MnAs/GaAs/InAs hybrid system on GaAs(111)B through lateral non-local spin valve measurement at varied temperature
通过不同温度下的横向非局部自旋阀测量，GaAs(111)B 上的 MnAs/GaAs/InAs 混合系统中的自旋注入和检测
通过不同温度下的横向非局部自旋阀测量，GaAs(111)B 上的 MnAs/GaAs/InAs 混合系统中的自旋注入和检测
DOI：
10.1063/1.5126242
发表时间：
2019
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[Islam Md. Earul, Hayashida Kazuki, Akabori Masashi]
通讯作者：
Akabori Masashi
MATERIALS STUDY FOR SPIN FIELD EFFECT TRANSISTORS USING MOLECULAR BEAM EPITAXY
利用分子束外延技术研究自旋场效应晶体管的材料
利用分子束外延技术研究自旋场效应晶体管的材料
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masashi Akabori, Md. Earul Islam, Dat Quoc Tran]
通讯作者：
Dat Quoc Tran