Multiscale microstructure engineering and the development of high performance, environmental friendly, low cost and thermally stable half-Heusler thermoelectric materials

多尺度微结构工程及高性能、环保、低成本、热稳定的半霍斯勒热电材料的开发

基本信息

  • 批准号:
    18K04744
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
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专利数量(0)
T2R2 Tokyo Tech Research Repository
T2R2 东京技术研究知识库
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Half-Heusler熱電材料ZrNiSn合金に形成するナノ構造と異相界面
Half-Heusler 热电材料 ZrNiSn 合金中形成的纳米结构和异相界面
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村 好里;Chai Yaw Wang
  • 通讯作者:
    Chai Yaw Wang
Effect of interfacial structure of Heusler nanoprecipitates on the thermoelectric properties of n-type half-Heusler alloys
霍斯勒纳米沉淀物界面结构对n型半霍斯勒合金热电性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yaw Wang Chai;Yoshisato Kimura
  • 通讯作者:
    Yoshisato Kimura
Multiscale microstructure engineering and the development of high performance, environmental friendly, low cost and thermally stable half-Heusler thermoelectric materials
多尺度微结构工程及高性能、环保、低成本、热稳定的半霍斯勒热电材料的开发
  • DOI:
    10.21820/23987073.2020.1.65
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Chai;Yaw Wang; Kimura;Yoshisato
  • 通讯作者:
    Yoshisato
Phase Interface Formation Induced by Phase Separation Process in Thermoelectric Mg2(Si, Sn) Alloys and (Zr, Ti)NiSn Alloys
热电 Mg2(Si, Sn) 合金和 (Zr, Ti)NiSn 合金中相分离过程诱导的相界面形成
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshisato Kimura;Yaw Wang Chai;Manabu Watanabe;Yonghoon Lee
  • 通讯作者:
    Yonghoon Lee
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