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液晶性を活用した高蛍光性全芳香族ポリイミド高配向膜の創製と偏光蛍光発光機構の解明

利用液晶特性制备高荧光全芳香族聚酰亚胺高取向薄膜并阐明偏振荧光发射机制

基本信息

批准号：
18K05213
负责人：
石毛亮平
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

昨年度までに得られた実験結果を踏まえて，量子化学計算に基づく最安定構造の予測を実施した．その結果，ジアミン部に導入されたかさ高いヘキサフルオロイソプロピル（HFA）基の立体障害によって，ビフタルイミド部とジアミン部をつなぐ結合にねじれが生じて二面角が増大することが確認された．また，このねじれの誘起に伴って，電子遷移が振動子強度の小さい電荷移動型から，振動子強度の大きい局所励起型に変化することも判明した．さらに，リオトロピック液晶相を発現する前駆体ポリアミド酸エステル（PAE）に剪断を印加して調製した一軸配向フィルム試料の広角X線回折（WAXD）像の詳細な解析から，かさ高い置換基を除いては同一の主鎖構造を有する他のPAEが明確な二軸性（主鎖まわりの２回対称性）を有する結晶を形成するのに対し，HFAを有する本系では配向軸（主鎖）まわりに４回回転対称性を有する結晶が形成されていることが令和２年度の検討により判明している．この４回回転対称性は，結合のねじれによりPAEの側鎖アルキル基が四方に張り出した結果として生じていると考えられる．このねじれはイミド化時も保持されると考えられ，間接的ながら発光に関与する主鎖形態の証拠が得られた．また当該のPAEの一軸配向試料を基板上で熱処理すると，イミド化時に延伸方向のみならず，幅方向にも収縮応力が作用し，試料が二軸延伸される結果，イミド化に伴って配向度が大きく低下することが判明した．現在，張力が延伸方向にのみ作用するように固定法を工夫し，より高い偏光効率の蛍光が得られる試料の作製を検討・評価中である．

The られた experimental results obtained from までに last year were を and まえて, and the quantum chemical calculation of the に basis づく most stable structure <s:1> was pretested and を was actually modified た. その results, ジアミン department に import されたかさ high いヘキサフルオロイソプロピル (HFA) の stereo handicap of によって, ビフタルイミド department とジアミン department をつなぐ combining にねじれが raw じて dihedral が raised large することが confirm された. また, このねじれの induced に with って, electron mobility が oscillator strength の small さい charge mobile type から, oscillator strength の big きい bureau type wound up に variations change することも.at した. さらに, リオトロピック liquid crystal phase を発 now する駆 body before ポリアミド acid エステル (PAE) に cut を Inca して modulation した shaft match to フィルム sample の hiroo Angle X-ray inflexion (WAXD) as detailed なの parsing から, かさ high い displacement based を except いては same の master lock a すを construction る he の PAE が clear な biaxiality (master lock まわりの 2 back said) seaborne を have する crystallization を form するのにし polices, HFA を have する department では match to the shaft (main) lock まわりに 4 and planning polices say sex を have する crystallization が form されていることが make and 2 year の beg に検より.at している. はこの 4 and planning polices according to sex, combining のねじれにより PAE の side chain アルキル base が sifang に zhang り out した results として raw じていると exam えられる. このねじれはイミド when も keep されると exam えられ, indirect ながら発 light に masato and する master card lock form の拠が must られた. また when the の PAE の match to sample a shaft を substrate thermal 処です cut ると, イミドに extended direction のみならず, image direction にも収 shrinkage が応 force し, sample が biaxial extension される results, イミド change に with って with dimensions が big きく low することが.at した. Now, tension が extension direction にのみ role するようにを time し fixed method, より high い polarized working rate の蛍が too light られる sample の cropping を検, please review 価 in である.