Metallorganische Multischichtsysteme für Anwendungen in Elektronik und Spintronik

Vorhabens is die Entwickump eines Verfahrens zur Herstellung异质体Mehrschichtsystem e，die Aus einer monomlekularen，selbstaggRegierenden Organchen Schicht(SAM)and Aus einer or der Mehrren Ultradünnen metisischen Schichten besteen eden.从金属绝缘体到金属绝缘体的超高密度绝缘薄膜将金属绝缘体缠绕在一起。德国的铁磁性金属(Cr，Fe，Co和Ni)和金属(Al，Ag，Au，Pd)的金属(Al，Ag，Au，Pd)在德国的兴布利克(Hinblick)和斯宾罗尼克(Der Elektronik)和德国斯宾罗尼克(Der Spintronik)的兴布利克(Hinblauf)和安文顿(Anwendungen)都有。在未开发的地衣和地衣系统中，磁学和电学特征在组织结构上是不同的。DES WEIEREN SOL VERSUT DEN，MIT HELFE STUSTISHER METHORDER METHORK METHINGISHER AND FRAMEMENT STRIPTURE Nanostrukturen Herzustellen.

Das Ziel des Vorhabens ist die Entwicklung eines Verfahrens zur Herstellung heterogener Mehrschichtsysteme, die aus einer monomolekularen, selbstaggregierenden organischen Schicht (SAM) und aus einer oder mehreren ultradünnen metallischen Schichten bestehen werden. Die organische Schicht in der vorgegebenen Anordnung soll entweder als Isolator zur elektrischen Entkopplung einer metallischen Schicht vom Substrat oder als ultradünner Isolatorfilm zwischen zwei metallischen Schichten dienen. Als Materialien für die metallischen Schichten werden sowohl ferromagnetische Metalle (Cr, Fe, Co und Ni) als auch die für eine elektrische Kontaktierung genutzten Metalle (AI, Ag, Au, Pd) dienen, vor allem in Hinblick auf die praktischen Anwendungen in der Elektronik und der Spintronik. Es ist vorgesehen, die magnetischen und elektrischen Eigenschaften der Metallschichten sowie die isolierenden Eigenschaften der organischen Schicht in unterschiedlichen Anordnungen systematisch zu untersuchen. Des Weiteren soll versucht werden, mit Hilfe lithographischer Methoden metallische und ferromagnetische Nanostrukturen herzustellen.