Streak-Kamera-System

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Das zu beschaffende Gerät soll spektroskopische Messungen an einer Vielzahl von Materialsystemen ermöglichen. Insbesondere soll das System dazu dienen, optoelektronische Eigenschaften, d.h. insbesondere Ladungsträgerlebensdauern, von klassischen III-V Halbleitern, verdünnten Nitriden, Materialien für die Photoelektrokatalyse und nanostrukturierten III-V Halbleitern zu vermessen. Des Weiteren wird angestrebt, das Streak-Kamera-System mit dem vorhandenen 4-Spitzen- Rastertunnelmikroskop zu kombinieren, um so einen einzigartigen experimentellen Zugang zu den optoelektronischen Eigenschaften von nanostrukturierten Halbleitern, insbesondere III-V Halbleitern zu schaffen. Aufgrund der kurzen Ladungsträgerlebensdauer ist für die Weiterentwicklung der neuen Materialien die Vermessung mit dem hier beantragten Streak-Kamera-System, das Photolumineszenzsignale im Bereich bis hinunter zu 1 ps detektieren kann, notwendig. Als Anregungsquelle wird, um alle genannten Materialsysteme adressieren zu können, ein durchstimmbarer Laser vorgesehen, der einen großen Teil des sichtbaren und nahen infraroten Spektralbereichs abdeckt. Die Streak- Kamera wird ebenfalls für optimale Empfindlichkeit im sichtbaren wie auch nahen infraroten Spektralbereich konfiguriert.