Doping-free ferromagnetic semiconductor based on 2D layered materials
Doping-free ferromagnetic semiconductor based on 2D layered materials
基于二维层状材料的无掺杂铁磁半导体
批准号：
18K13785
负责人：
Muneta Iriya
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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DOI：
10.1063/1.5118913
发表时间：
2019-11
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Takanori Shirokura;I. Muneta;K. Kakushima;K. Tsutsui;H. Wakabayashi]
通讯作者：
Takanori Shirokura;I. Muneta;K. Kakushima;K. Tsutsui;H. Wakabayashi
スパッタMoS2薄膜における磁気特性の成膜温度依存性
溅射 MoS2 薄膜的磁性能对沉积温度的依赖性
溅射 MoS2 薄膜的磁性能对沉积温度的依赖性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Fumiaki Nose, Yuichiro Sueoka, Daisuke Nakanishi, Koichi Osuka, 白倉 孝典，宗田 伊理也，角嶋 邦之，筒井 一生，若林 整]
通讯作者：
白倉 孝典，宗田 伊理也，角嶋 邦之，筒井 一生，若林 整
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Iriya Muneta, Naoki Hayakawa, Takanori Shirokura, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi]
通讯作者：
Hitoshi Wakabayashi
Magnetic Force Microscopy Image Measured on MoS2 Thin Film Sputtered on CaF2 (111) Substrate
CaF2 (111) 基板上溅射的 MoS2 薄膜的磁力显微镜图像测量
CaF2 (111) 基板上溅射的 MoS2 薄膜的磁力显微镜图像测量
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[I. Muneta, Danial B. Z., N. Hayakawa, K. Kakushima, K. Tsutsui and H. Wakabayashi]
通讯作者：
K. Tsutsui and H. Wakabayashi
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