Development of novel ferromagnetic tunnel contacts for efficient Si spintronic devices

开发用于高效硅自旋电子器件的新型铁磁隧道接触

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SrO障壁層を有する単結晶磁気トンネル接合の磁気抵抗効果
带SrO势垒层的单晶磁隧道结的磁阻效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    昆慎太郎;昆慎太郎;A. Spiesser;安川雪子;湯浅新治;齋藤秀和
  • 通讯作者:
    齋藤秀和
Quantification of spin drift in nonlocal devices with a heavily-doped Si channel
具有重掺杂硅通道的非局域器件中自旋漂移的量化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Spiesser;H. Saito;Y. Fujita;S. Yamada;K. Hamaya;W. Mizubayashi;K. Endo;S. Yuasa and R. Jansen
  • 通讯作者:
    S. Yuasa and R. Jansen
Spin-Polarized Coherent Tunneling in Fully Epitaxial Magnetic Tunnel Junctions with SrO Tunnel Barrier
具有 SrO 隧道势垒的全外延磁隧道结中的自旋极化相干隧道
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Spiesser Aurelie;S;Kon;Y. Yasukawa;S. Yuasa;and H. Saito
  • 通讯作者:
    and H. Saito
Fe/MgO tunnel contacts with 90% spin filtering in Si-based nonlocal devices
Fe/MgO%20tunnel%20contacts%20with%2090%%20spin%20filtering%20in%20Si-based%20nonlocal%20devices
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Spiesser;Y. Fujita;H. Saito;S. Yuasa and R. Jansen
  • 通讯作者:
    S. Yuasa and R. Jansen
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Development of quasi-2D Si devices with large magnetoresistance
大磁阻准二维硅器件的研制
  • 批准号:
    21K04822
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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