Development of novel fabrication process of amorphous oxide semiconductor using field effect
Development of novel fabrication process of amorphous oxide semiconductor using field effect
利用场效应开发非晶氧化物半导体新型制造工艺
批准号：
18K13990
负责人：
Keisuke Ide
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2020-03-31
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アモルファス酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオード特性と光応答
非晶氧化镓肖特基势垒二极管的特性和光响应
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[笠井 悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫]
通讯作者：
神谷利夫
Effects of base pressure on optoelectronic properties of amorphous In-Ga-Zn-O
基础压力对非晶In-Ga-Zn-O光电性能的影响
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DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Ide, K. Takenaka, Y. Setsuhara, A. Hiraiwa, H. Kawarada, T. Katase, H. Hiramatsu, H. Hosono, T. Kamiya]
通讯作者：
T. Kamiya
Hydrogen doping and carrier transport properties of amorphous Ga-O
非晶Ga-O的氢掺杂和载流子传输特性
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yurika Kasai, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya]
通讯作者：
Toshio Kamiya
Direct-current driven electroluminescent device with amorphous oxide semiconductor thin-film phosphor
非晶氧化物半导体薄膜荧光粉直流驱动电致发光器件
非晶氧化物半导体薄膜荧光粉直流驱动电致发光器件
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yurika Kasai, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya, G. F. Harrington, K. Ide]
通讯作者：
K. Ide
Depth Analysis of Near Valence Band Mximum Defect States in Amorphous Oxide Semiconductors: In-Ga-Zn-O
非晶氧化物半导体 In-Ga-Zn-O 近价带最大缺陷态的深度分析
非晶氧化物半导体 In-Ga-Zn-O 近价带最大缺陷态的深度分析
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Keisuke Ide, Masato Ota, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Shigenori Ueda, Hideo Hosono, and Toshio Kamiya]
通讯作者：
and Toshio Kamiya
共 19 条
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