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Development of novel fabrication process of amorphous oxide semiconductor using field effect

利用场效应开发非晶氧化物半导体新型制造工艺

基本信息

批准号：
18K13990
负责人：
Keisuke Ide
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K13990/
关键词：
アモルファス酸化物半導体電界効果トランジスタ欠陥制御

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（23）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

アモルファス酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオード特性と光応答

非晶氧化镓肖特基势垒二极管的特性和光响应

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
笠井悠莉華;井手啓介;片瀬貴義;平松秀典;細野秀雄;神谷利夫
通讯作者：
神谷利夫

Effects of base pressure on optoelectronic properties of amorphous In-Ga-Zn-O

基础压力对非晶In-Ga-Zn-O光电性能的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Ide;K. Takenaka;Y. Setsuhara;A. Hiraiwa;H. Kawarada;T. Katase;H. Hiramatsu;H. Hosono;T. Kamiya
通讯作者：
T. Kamiya

Hydrogen doping and carrier transport properties of amorphous Ga-O

非晶Ga-O的氢掺杂和载流子传输特性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yurika Kasai;Keisuke Ide;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;Toshio Kamiya
通讯作者：
Toshio Kamiya

Direct-current driven electroluminescent device with amorphous oxide semiconductor thin-film phosphor

非晶氧化物半导体薄膜荧光粉直流驱动电致发光器件

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yurika Kasai;Keisuke Ide;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;Toshio Kamiya;G. F. Harrington;K. Ide
通讯作者：
K. Ide

Depth Analysis of Near Valence Band Mximum Defect States in Amorphous Oxide Semiconductors: In-Ga-Zn-O

非晶氧化物半导体 In-Ga-Zn-O 近价带最大缺陷态的深度分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Keisuke Ide;Masato Ota;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Shigenori Ueda;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya
通讯作者：
and Toshio Kamiya

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Keisuke Ide其他文献

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DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yutaro Kobayashi;Keisuke Ide;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya
通讯作者：
and Toshio Kamiya

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DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Xinyi He;Jinshuai Chen;Takayoshi Katase;Makoto Minohara;Keisuke Ide;Hidenori Hiramatsu;Hiroshi Kumigashira;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya;三浦章
通讯作者：
三浦章

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DOI：
发表时间：
2018
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影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
早瀬元

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DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shigeru Kimura;Akihiro Shiraishi;Xinyi He;Takayoshi Katase;Keisuke Ide;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya
通讯作者：
and Toshio Kamiya

単結晶の欠陥制御と量子機能開拓

单晶缺陷控制和量子函数开发

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shigeru Kimura;Akihiro Shiraishi;Xinyi He;Takayoshi Katase;Keisuke Ide;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya;斉藤　光;都藤悠佑;Kotaro Takeyasu;會澤純雄,藤井奈央子,桑静,平原英俊;谷口　尚
通讯作者：
谷口　尚