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半導体光電極における酸素還元反応と光腐食反応の選択的制御と機構解明
半导体光电极中氧还原反应和光腐蚀反应的选择性控制和机理阐明
基本信息
- 批准号：18K14325
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
申請者は最近，酸素雰囲気下に於いて半導体の光腐食が著しく抑制されることを見出し，この知見を巧く利用することで選択的な酸素の2電子還元反応を達成した．さらに光照射によって理論電解電圧よりも低い電圧で過酸化水素を製造することに成功した．本研究では，半導体における光腐食反応と酸素還元反応の選択的挙動を熱力学的・速度論的視点から解明すべく，(1) 半導体-溶液界面における腐食電位と酸素還元電位のエネルギー相関解明，(2) 光照射下における各反応速度定数の解析．(3) 半導体-溶液の界面構造と反応速度定数の相関解明，以上のテーマに取り組み，半導体電極における酸素還元反応の制御因子の解明を目指す．
申请人最近发现，半导体的光腐蚀在氧气中得到了显着抑制，并且通过巧妙地利用这一发现，申请人获得了氧气的选择性两电子还原反应。此外，通过光照射，过氧化氢在低于理论电解电压的电压下成功产生。在这项研究中，为了阐明从热力学和动力学的角度从半导体和动力学的角度来看的光腐蚀和氧还原反应的选择性行为，（1）阐明了半导体分析界面上的腐蚀潜力和降低腐蚀潜力之间的能量相关性，以及（2）在轻度反应速率下对反应速率构成量，并使（2）平衡。 （3）为了解决上述主题，我们旨在阐明半导体 - 溶液和反应速率常数的界面结构之间的相关性，并阐明控制半导体电极中氧还原反应的因素。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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