半導体光電極における酸素還元反応と光腐食反応の選択的制御と機構解明
半導体光電極における酸素還元反応と光腐食反応の選択的制御と機構解明
批准号:
18K14325
负责人:
上村 直
金额:
$2.58万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-04-01 至 2019-03-31
中文摘要
申請者は最近,酸素雰囲気下に於いて半導体の光腐食が著しく抑制されることを見出し,この知見を巧く利用することで選択的な酸素の2電子還元反応を達成した.さらに光照射によって理論電解電圧よりも低い電圧で過酸化水素を製造することに成功した.本研究では,半導体における光腐食反応と酸素還元反応の選択的挙動を熱力学的・速度論的視点から解明すべく,(1) 半導体-溶液界面における腐食電位と酸素還元電位のエネルギー相関解明,(2) 光照射下における各反応速度定数の解析.(3) 半導体-溶液の界面構造と反応速度定数の相関解明,以上のテーマに取り組み,半導体電極における酸素還元反応の制御因子の解明を目指す.
英文摘要
申請者は最近,酸素雰囲気下に於いて半導体の光腐食が著しく抑制されることを見出し,この知見を巧く利用することで選択的な酸素の2電子還元反応を達成した.さらに光照射によって理論電解電圧よりも低い電圧で過酸化水素を製造することに成功した.本研究では,半導体における光腐食反応と酸素還元反応の選択的挙動を熱力学的・速度論的視点から解明すべく,(1) 半導体-溶液界面における腐食電位と酸素還元電位のエネルギー相関解明,(2) 光照射下における各反応速度定数の解析.(3) 半導体-溶液の界面構造と反応速度定数の相関解明,以上のテーマに取り組み,半導体電極における酸素還元反応の制御因子の解明を目指す.
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会议论文
ペロブスカイト型酸化物における応力発光機能発現と機構解明
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批准号:13J08228
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2013
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负责人:上村 直
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依托单位:
海外基金