Experimental Study of Crystal Structure Transformation by Low-Energy Plasma Induced Reconstruction in Si Ultrathin Film

硅超薄膜低能等离子体诱导重构晶体结构转变的实验研究

基本信息

批准号：
18K18987
负责人：
Sakuraba Masao
金额：
$ 4.08万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-06-29 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（2）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Low-Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and In-Situ Doping for Junction Formation in Group-IV Semiconductor Devices

用于 IV 族半导体器件结形成的低能等离子体增强化学气相沉积和原位掺杂

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Sakuraba and S. Sato
通讯作者：
M. Sakuraba and S. Sato

Low-Energy Plasma Enhanced Epitaxy and In-Situ Doping for Group-IV Semiconductor Device Fabrication

用于 IV 族半导体器件制造的低能量等离子体增强外延和原位掺杂

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Sakuraba and S. Sato
通讯作者：
M. Sakuraba and S. Sato

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Sakuraba Masao其他文献

A numerical study on an Izhikevich neuron model analog MOS Circuit

Izhikevich神经元模型模拟MOS电路的数值研究

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tamura Yuki;Moriya Satoshi;Kato Tatsuki;Sakuraba Masao;Horio Yoshihiko;Sato Shigeo
通讯作者：
Sato Shigeo

Sakuraba Masao的其他文献

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

相似海外基金

Atomic scale characterizations of the exchange coupling in ferromagnetic/antiferromagnetic heterostructures by spin-polarized STM

通过自旋极化 STM 对铁磁/反铁磁异质结构中的交换耦合进行原子尺度表征

批准号：
16H05963
财政年份：
2016
资助金额：
$ 4.08万
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

Carrier transport and Photoenergy conversion at nano-interfaces

纳米界面的载流子传输和光能转换

批准号：
15H03764
财政年份：
2015
资助金额：
$ 4.08万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Surface atomic structure of compound semiconductors treated with active nitrogen species

活性氮物质处理的化合物半导体的表面原子结构

批准号：
22510117
财政年份：
2010
资助金额：
$ 4.08万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

ウイルスを鋳型とする金属ナノ粒子の三次元配列化と光集積への応用

以病毒为模板的金属纳米粒子的三维阵列及其在光学集成中的应用

批准号：
09J05191
财政年份：
2009
资助金额：
$ 4.08万
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Oxidation kinetics of Si(110) surface and electrical properties of the oxide as a basis for next-generation CMOS devices

Si(110) 表面的氧化动力学和氧化物的电性能作为下一代 CMOS 器件的基础

批准号：
19360015
财政年份：
2007
资助金额：
$ 4.08万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)