Experimental Study of Crystal Structure Transformation by Low-Energy Plasma Induced Reconstruction in Si Ultrathin Film

硅超薄膜低能等离子体诱导重构晶体结构转变的实验研究

基本信息

  • 批准号：
    18K18987
  • 负责人：
    Sakuraba Masao
  • 金额：
    $ 4.08万
  • 依托单位：
    Tohoku University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2018
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2018-06-29 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low-Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and In-Situ Doping for Junction Formation in Group-IV Semiconductor Devices
用于 IV 族半导体器件结形成的低能等离子体增强化学气相沉积和原位掺杂
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Sakuraba and S. Sato
  • 通讯作者：
    M. Sakuraba and S. Sato
Low-Energy Plasma Enhanced Epitaxy and In-Situ Doping for Group-IV Semiconductor Device Fabrication
用于 IV 族半导体器件制造的低能量等离子体增强外延和原位掺杂
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Sakuraba and S. Sato
  • 通讯作者：
    M. Sakuraba and S. Sato
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Sakuraba Masao其他文献

A numerical study on an Izhikevich neuron model analog MOS Circuit
Izhikevich神经元模型模拟MOS电路的数值研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tamura Yuki;Moriya Satoshi;Kato Tatsuki;Sakuraba Masao;Horio Yoshihiko;Sato Shigeo
  • 通讯作者：
    Sato Shigeo

Sakuraba Masao的其他文献

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