Experimental Study of Crystal Structure Transformation by Low-Energy Plasma Induced Reconstruction in Si Ultrathin Film
Experimental Study of Crystal Structure Transformation by Low-Energy Plasma Induced Reconstruction in Si Ultrathin Film
硅超薄膜低能等离子体诱导重构晶体结构转变的实验研究
批准号：
18K18987
负责人：
Sakuraba Masao
金额：
$4.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-06-29 至 2020-03-31
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会议论文
Low-Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and In-Situ Doping for Junction Formation in Group-IV Semiconductor Devices
用于 IV 族半导体器件结形成的低能等离子体增强化学气相沉积和原位掺杂
用于 IV 族半导体器件结形成的低能等离子体增强化学气相沉积和原位掺杂
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Sakuraba and S. Sato]
通讯作者：
M. Sakuraba and S. Sato
Low-Energy Plasma Enhanced Epitaxy and In-Situ Doping for Group-IV Semiconductor Device Fabrication
用于 IV 族半导体器件制造的低能量等离子体增强外延和原位掺杂
用于 IV 族半导体器件制造的低能量等离子体增强外延和原位掺杂
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Sakuraba and S. Sato]
通讯作者：
M. Sakuraba and S. Sato