高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
批准号：
24KJ0142
负责人：
原 征大
金额：
$2.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
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会议论文
オーム性接触形成メカニズム解明に向けた金属/炭化珪素界面に関する基礎研究
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批准号：22KJ1709
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.98万
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财政年份：2023
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负责人：原 征大
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依托单位：