高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明

阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源

基本信息

  • 批准号:
    24KJ0142
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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知道了