高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明

阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源

基本信息

批准号：
24KJ0142
负责人：
原征大
金额：
$ 2.41万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2024
资助国家：
日本
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
项目状态：
未结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24KJ0142/
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项目摘要

项目成果

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