Elucidation of electromagnetic wave emission responses in semiconductor crystals under the coexistence of different kinds of terahertz-range transient phenomena
阐明不同种类太赫兹范围瞬态现象共存下半导体晶体的电磁波发射响应
基本信息
- 批准号:18K03497
- 负责人:
- 金额:$ 2.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(17)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
光パルスペア励起下でのGaAsナノ構造膜のテラヘルツ波放射の観測
光脉冲对激发下GaAs纳米结构薄膜中太赫兹波发射的观察
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Urakawa;Hajime;長谷川尊之
- 通讯作者:長谷川尊之
GaAsナノ構造膜における内蔵電場に起因した二種テラヘルツ波放射の共存ダイナミクス
GaAs纳米结构薄膜内建电场导致两种太赫兹波辐射共存动力学
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長谷川尊之;奥島雄大;田中義人
- 通讯作者:田中義人
光励起分極-格子結合ダイナミクスに基づくサブピコ秒過渡現象からのテラヘルツ波放射
基于光激发偏振-晶格耦合动力学的亚皮秒瞬态现象的太赫兹波发射
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長谷川尊之;奥島雄大;田中義人
- 通讯作者:田中義人
半導体ナノ構造膜の内蔵電場制御に基づいたテラヘルツ波研究
基于半导体纳米结构薄膜内建电场控制的太赫兹波研究
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:道村真司;酒井俊;飯塚亮介;沼倉凌介;小坂昌史;長谷川尊之
- 通讯作者:長谷川尊之
GaAsナノ構造膜におけるテラヘルツ波放射の内蔵電場依存性
GaAs纳米结构薄膜中太赫兹波辐射的内置电场依赖性
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:丸井雅也;長谷川尊之;田中義人
- 通讯作者:田中義人
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Hasegawa Takayuki其他文献
Peak-interval procedure and the hippocampal EEG in rats.
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大鼠峰值间隔程序的分析:早期学习过程中时间辨别的数学/物理方法。
- DOI:
- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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Hasegawa Takayuki
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- DOI:
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- 影响因子:0
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- 作者:
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Nakada Mitsutoshi
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