SiC-MOSFET负载短路时元件残余损伤对可靠性特性的影响研究-猫眼课题宝

SiC-MOSFET负载短路时元件残余损伤对可靠性特性的影响研究

批准号：

23K20927

负责人：

岩室憲幸

金额：

$2.41万

依托单位：

University of Tsukuba

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

财政年份：

2024

资助国家：

日本

项目状态：

未结题

起止时间：

2024-02-28 至 2025-03-31

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K20927/

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Study on the effect of residual damage on reliabilities in short-circuited SiC MOSFETs

批准号：

21H01303
项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
资助金额：

$10.4万
财政年份：

2021
负责人：

岩室憲幸
依托单位：

University of Tsukuba