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直接遷移型IV族半導体クラスレートの創成と光デバイス応用

直接遷移型IV族半導体クラスレートの創成と光デバイス応用
直接过渡 IV 族半导体包合物的创建和光学器件应用
批准号:
23K20952
负责人:
久米 徹二
金额:
$1.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-02-28 至 2025-03-31
关键词:

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Synthesis of group IV clathrate and its application of optical devices as direct-transition semiconductor
  • 批准号:
    21H01365
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $11.23万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    久米 徹二
  • 依托单位:
新しい半導体クラスレートの超伝導と構造安定性に関する低温超高圧ラマン散乱研究
  • 批准号:
    16740174
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $2.11万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    久米 徹二
  • 依托单位:
超高圧力下における氷及びハロゲン化水素のエネルギーバンド形成
  • 批准号:
    13740182
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    久米 徹二
  • 依托单位: