直接遷移型IV族半導体クラスレートの創成と光デバイス応用
直接遷移型IV族半導体クラスレートの創成と光デバイス応用
批准号:
23K20952
负责人:
久米 徹二
金额:
$1.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-02-28 至 2025-03-31
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会议论文
Synthesis of group IV clathrate and its application of optical devices as direct-transition semiconductor
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批准号:21H01365
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.23万
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财政年份:2021
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负责人:久米 徹二
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依托单位:
新しい半導体クラスレートの超伝導と構造安定性に関する低温超高圧ラマン散乱研究
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批准号:16740174
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2004
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负责人:久米 徹二
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依托单位:
超高圧力下における氷及びハロゲン化水素のエネルギーバンド形成
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批准号:13740182
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2001
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负责人:久米 徹二
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依托单位: