SiC欠陥スピンの電気的高効率読出の確立に向けたスピン・光・電荷ダイナミクス解明
SiC欠陥スピンの電気的高効率読出の確立に向けたスピン・光・電荷ダイナミクス解明
阐明自旋、光和电荷动力学，以建立 SiC 缺陷自旋的高效电读出
批准号：
23K22796
负责人：
森岡 直也
金额：
$0.67万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2025-03-31
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SiC欠陥スピンの電気的高効率読出の確立に向けたスピン・光・電荷ダイナミクス解明
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批准号：22H01526
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.4万
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财政年份：2022
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负责人：森岡 直也
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依托单位：
SiCにおける電気的スピン注入に基いた局在スピン制御の開拓
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批准号：21K20502
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项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额：$2.0万
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财政年份：2021
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负责人：森岡 直也
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依托单位：
Si・Ge量子細線の構造制御と電気伝導に係る物性解明およびMOSFETへの応用
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批准号：11J05847
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.22万
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财政年份：2011
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负责人：森岡 直也
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依托单位：