SiC欠陥スピンの電気的高効率読出の確立に向けたスピン・光・電荷ダイナミクス解明

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本研究では、量子情報および量子センサのプラットフォームとして炭化ケイ素（SiC）中の点欠陥スピンに着目している。光電流磁気共鳴法によって、点欠陥スピンの量子情報を電気的に検出することが可能であるが、炭化ケイ素においてそのメカニズムや検出感度向上の指針は十分に理解されていない。本研究では、SiC中点欠陥においてスピン、光、電荷が相互に関与するダイナミクスを調べ、光電流によるスピン検出メカニズムの解明と、検出効率の向上を目指している。研究初年度となる本年度は、SiC中欠陥の光電流磁気共鳴検出装置の立ち上げを行った。スピン・光・電荷ダイナミクスを調べるうえで、本研究では時間軸ダイナミクスおよびエネルギー軸ダイナミクスの両方に着目している。時間軸の制御のため、励起レーザ強度を高速に変調でき、かつスピン操作用マイクロ波を任意のタイミングで数十ナノ秒のスケールで印加可能な装置を構成した。またエネルギー軸に関しては、様々な励起レーザ波長を使用できる光学系を構成した。その過程で、SiC中のシリコン空孔V2と結合した核スピンの磁気共鳴信号を光電流磁気共鳴によって電気的に検出可能であることを示し、測定システムの低ノイズ性能を示した。また、これまでSiCにおける光電流磁気共鳴はシリコン空孔についてのみ報告されているが、本研究で製作した測定システムの検証過程においてシリコン空孔以外の信号と考えられる信号を観測し、その起源の特定を進めている。以上に加えて、今後スピン信号の検出ダイナミクスを明らかにするために必要なサンプルの作製についても取り組み、欠陥生成条件や加工条件、デバイス構造の最適化に向けた実験を実施した。これらの研究によって、実際にダイナミクスの研究を進める準備を整えることができた。