局所液相成長によるGeSn細線の形成とレーザーダイオードの動作実証
通过局部液相生长形成 GeSn 细线并演示激光二极管操作
基本信息
- 批准号:23K22798
- 负责人:
- 金额:$ 3.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2024
- 资助国家:日本
- 起止时间:2024-02-28 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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