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局所液相成長によるGeSn細線の形成とレーザーダイオードの動作実証

通过局部液相生长形成 GeSn 细线并演示激光二极管操作

基本信息

批准号：
23K22798
负责人：
志村考功
金额：
$ 3.24万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
起止时间：
2024-02-28 至 2025-03-31
项目状态：
未结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K22798/
关键词：

项目摘要

项目成果

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