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磁気力顕微鏡を応用した半導体の局所不純物濃度の非接触測定装置の開発

磁気力顕微鏡を応用した半導体の局所不純物濃度の非接触測定装置の開発
利用磁力显微镜开发半导体局部杂质浓度非接触式测量装置
批准号:
23K22768
负责人:
若家 冨士男
金额:
$1.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-02-28 至 2026-03-31
关键词:

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项目成果

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Development of non-contact measurement system for local impurity density in semiconductor using magnetic-force microscopy
  • 批准号:
    22H01498
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $11.4万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    若家 冨士男
  • 依托单位:
微小電極と電界を用いたカーボンナノチューブの位置制御
  • 批准号:
    14750235
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $2.24万
  • 财政年份:
    2002
  • 负责人:
    若家 冨士男
  • 依托单位:
埋め込み型電子波スイッチングデバイスの作製
  • 批准号:
    07750388
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    若家 冨士男
  • 依托单位: