磁気力顕微鏡を応用した半導体の局所不純物濃度の非接触測定装置の開発
利用磁力显微镜开发半导体局部杂质浓度非接触式测量装置
基本信息
- 批准号:23K22768
- 负责人:
- 金额:$ 1.16万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2024
- 资助国家:日本
- 起止时间:2024-02-28 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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- 影响因子:0
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- DOI:
- 发表时间:
2012 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
中浜 弘介;加賀 英一;木佐 俊哉;阿保 智;若家 冨士男;高井 幹夫 - 通讯作者:
高井 幹夫
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