有機半導体薄膜における縦方向移動度の向上と縦型デバイスの高性能化

提高有机半导体薄膜的垂直迁移率,提高垂直器件的性能

基本信息

  • 批准号:
    23K23206
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-02-28 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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中山 健一的其他文献

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