面状のアクティブエリアを持つ新規縦型有機トランジスタの開発

开发具有平面有源区的新型垂直有机晶体管

基本信息

项目摘要

本課題では、単純な半導体/金属/半導体の積層構造で低電圧・大電流動作が可能な縦型有機トランジスタとして、「メタルベース有機トランジスタ(Metal-Base Organic Transistor, MBOT)」を提案し、その研究を行っている。本年度は、縦型トランジスタ最大の課題であるON/OFF比向上をめざし種々の検討を行った。その結果、コレクタ層とベース電極までを蒸着したところで大気下加熱処理を行うことにより、これまで100程度であったON/OFF比が劇的に改善されることを見出した。最適化により、コレクタ電圧7V、ベース電圧3Vにおいて、100mA/cm2以上の電流変調と、10の5乗以上のON/OFF比を得ることに成功した。一方MBOTの応用展開として、MBOTとポリマーELを電極ごと積み重ねて直列接続した「スタック型構造デバイス」を新たに提案し、ELをMBOTで駆動した場合の変調特性を評価した。その結果、電源電圧8V、制御電圧わずか2.8Vで、100cd/m2以上のEL発光を変調することに成功した。これは、有機FETを用いる場合に比べてはるかに低電圧での変調を実現しており、さらにスタック型構造により駆動トランジスタ占有部分による発光ロス(開口率低下)を防ぐことができる。また、本年度も引き続きMBOTの動作メカニズム解明に取り組み、ベース接地測定による電流解析を行った。これにより、エミッタ注入電子が高確率でベースを透過していることを直接的に観測することに成功し、従来提案してしてきた透過メタルベースメカニズムを支持する結果を得た。また、コレクタ電圧が逆電圧(阻止電圧方向)の領域から電流透過が起こる興味深い現象を見出し、さらなる動作メカニズム解明へのヒントを得た。
This project aims to propose and conduct research on the possibility of low voltage and high current operation of pure semiconductor/metal/semiconductor multilayer structure, and "Metal-Base Organic Transistor (MBOT)". This year, the biggest issue of the year is the ON/OFF ratio. As a result, the electrode is heated to a high temperature, and the ON/OFF ratio is improved to a high degree. Optimization of voltage, voltage 7V, voltage 3V, current modulation above 100mA/cm2, ON/OFF ratio above 10 V With the development of the use of MBOTs, a new "Stark-type structure device" for in-line connection of MBOTs and POLIMA-EL electrodes has been proposed, and the tuning characteristics of EL in situations where MBOTs can be moved are evaluated. As a result, the power supply voltage is 8V, the control voltage is 2.8V, and the EL emission above 100cd/m2 is successfully adjusted. For example, when organic FET is used, low voltage modulation is realized, and the structure of organic FET is characterized by low power transmission (low aperture ratio). This year, the company will conduct a series of activities to determine the current analysis. The result of this experiment is that the electron injection rate is high, and the electron injection rate is high, and the electron injection rate is high. In the field of high voltage, reverse voltage (blocking voltage direction), current transmission, excitation, deep phenomenon, operation, solution, etc.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Fabrication of vertical organic field effect transistor at the edge of patterned photoresist
图案化光刻胶边缘垂直有机场效应晶体管的制作
Very High On/Off Ratio in Vertical-Type Metal-Base Organic Transistors
垂直型金属基有机晶体管具有极高的开/关比
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

中山 健一其他文献

光変換基を持つフラーレン誘導体を用いた有機薄膜太陽電池の開発
使用具有光转换基团的富勒烯衍生物开发有机薄膜太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大和 雅樹;川ノ上 貴裕;川尻 和己;山口 裕二;鈴木 充朗;山田 容子;中山 健一
  • 通讯作者:
    中山 健一
可視域に吸収を持つ熱活性化遅延蛍光分子の単一成分薄膜太陽電池への応用
可见光区吸收的热激活延迟荧光分子在单组分薄膜太阳能电池中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    有泉 恒亮;末延 知義;鈴木 充朗;中山 健一
  • 通讯作者:
    中山 健一
熱変換型ドナーDPP-BPを用いた有機薄膜太陽電池におけるアルキル鎖長依存性
使用热转换供体 DPP-BP 的有机薄膜太阳能电池中的烷基链长度依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    熊谷 大地;高橋 功太郎;工藤 尚樹;小金澤 智之;葛原 大軌;増尾 貞弘;生駒 忠昭,山田 容子;中山 健一
  • 通讯作者:
    中山 健一
光変換型ドナー材料を用いた塗布積層型p-i-n太陽電池の開発
使用光转换供体材料开发涂层层状 p-i-n 太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高平 勝也;Cassandre Quinton;山口 裕二;鈴木 充朗;山田 容子;中山 健一
  • 通讯作者:
    中山 健一
熱活性化遅延蛍光分子における光電荷分離過程と単一成分薄膜太陽電池への応用
热激活延迟荧光分子的光电荷分离过程及其在单组分薄膜太阳能电池中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    有泉 恒亮;村上 敬祐;末延 知義;鈴木 充朗;中山 健一
  • 通讯作者:
    中山 健一

中山 健一的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('中山 健一', 18)}}的其他基金

有機半導体薄膜における縦方向移動度の向上と縦型デバイスの高性能化
提高有机半导体薄膜的垂直迁移率,提高垂直器件的性能
  • 批准号:
    23K23206
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Improvement of vertical carrier mobilities in organic semiconductor thin films and performances of vertical-type devices
有机半导体薄膜垂直载流子迁移率的提高和垂直型器件的性能
  • 批准号:
    22H01938
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
光電流増倍現象を利用した電流注入制御型有機トランジスター
利用光电流倍增现象的电流注入控制有机晶体管
  • 批准号:
    13750276
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了