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遷移金属ケイ化物キラル薄膜によるスピン偏極エレクトロニクスの創成

遷移金属ケイ化物キラル薄膜によるスピン偏極エレクトロニクスの創成
使用过渡金属硅化物手性薄膜创建自旋极化电子器件
批准号：
23K23212
负责人：
宍戸 寛明
金额：
$2.16万
依托单位：
Osaka Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K23212/
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Construction of spin-polarized electronics by the transition metal silicide chiral thin films
  • 批准号：
    22H01944
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.23万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    宍戸 寛明
  • 依托单位：
    Osaka Metropolitan University
115化合物の純良単結晶育成と圧力誘起超伝導の研究
  • 批准号：
    06J02225
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $2.18万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    宍戸 寛明
  • 依托单位：
    Kyoto University
高圧下での重い電子系のドハース・ファンアルフェン効果の研究
  • 批准号：
    04J07962
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.22万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    宍戸 寛明
  • 依托单位：
    Osaka University