课题基金 / 基金详情

115化合物の純良単結晶育成と圧力誘起超伝導の研究

115化合物の純良単結晶育成と圧力誘起超伝導の研究
115种化合物的纯单晶生长及压力诱导超导研究
批准号:
06J02225
负责人:
宍戸 寛明
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2009

项目摘要

项目成果

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URu_2Si_2は重い電子系の超伝導体の1つであり,古くから盛んに研究されている.URu_2Si_2は17.5K以下において「隠れた秩序」相に相転移する.隠れた秩序の秩序変数は20年以上研究されてきたにもかかわらず未だに明らかになっていない.隠れた秩序相に転移すると磁気抵抗・ホール効果測定からキャリアの大部分が消失し,低キャリアでオープン軌道が無く,かつ電子とホールキャリアが補償した半金属的な状態が実現している,URu_2Si_2の磁気相図はよく調べられており,隠れた秩序状態は36Tの高磁場下で閉じる.我々は残留抵抗比が700にも達する超純良単結晶を用いて,0.1K,27Tの低温・共磁場下の磁気抵抗・ホール効果測定を行った.ホール効果は低温においてH_p=16T以上で減少し始め,H^*=23Tにおいて鋭いジャンプを示す.磁気抵抗はH_p以上でH^2の振る舞いからはずれ,H^*以上で再びH^2の振る舞いに戻る.これは隠れた秩序相の内部に新たな相転移が存在することを示す.また我々は比較的広い磁場範囲でドハース振動を観測した.従来のdHvA効果で報告されていたフェルミ面に加えて,H^*付近以上で新たなフェルミ面を観測した.これは隠れた秩序相の内部に相転移が存在し,フェルミ面の再構成が起こっていることを示している.このような相転移は超純良試料で初めて観測されたこと,2K以上は熱揺らぎにより見えなくなることなどから,バンド毎に独立に隠れた秩序が壊れていると考えられる.このことは隠れた秩序は遍歴的な秩序であることを示唆している.この結果は論文(1)に纏められた.また国内会議(1-3),国際会議(1)で発表を行った.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
人工超格子薄膜による2次元重い電子系の作成と評価
使用人造超晶格薄膜创建和评估二维重电子系统
DOI: --
发表时间: 2007
期刊:
影响因子: --
作者: [H. Shishido, K. Hashimoto, T. Shibauchi, T. Sasaki, H. Oizumi, N. Kobayashi, T. Takamasu, K. Takehana, Y. Imanaka, T. D. Matsuda, Y. Haga, Y. Onuki, Y. Matsudal, 宍戸寛明, 宍戸寛明, 宍戸寛明, H.Shishido, 宍戸 寛明, 宍戸 寛明]
通讯作者: 宍戸 寛明
超純良単結晶URu_2Si_2の隠れた秩序相内の相転移:dHvA効果から見たCeRhIn_5の圧力下磁場誘起量子臨界点
超纯单晶 URu_2Si_2 隐藏有序相内的相变:从 dHvA 效应看出 CeRhIn_5 中压力下磁场诱导的量子临界点
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者: [H. Shishido, K. Hashimoto, T. Shibauchi, T. Sasaki, H. Oizumi, N. Kobayashi, T. Takamasu, K. Takehana, Y. Imanaka, T. D. Matsuda, Y. Haga, Y. Onuki, Y. Matsudal, 宍戸寛明]
通讯作者: 宍戸寛明
Uru_2Si_2の強磁場・低温下輸送係数から見た隠れた秩序
从Uru_2Si_2强磁场和低温输运系数看隐序
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [H. Shishido, K. Hashimoto, T. Shibauchi, T. Sasaki, H. Oizumi, N. Kobayashi, T. Takamasu, K. Takehana, Y. Imanaka, T. D. Matsuda, Y. Haga, Y. Onuki, Y. Matsudal, 宍戸寛明, 宍戸寛明, 宍戸寛明]
通讯作者: 宍戸寛明
Superconducting Thin Films of Heavy Fermion Compound CeCoIn_5 Prepared by Molecular Beam Epitaxy
分子束外延制备重费米子化合物CeCoIn_5超导薄膜
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: Appl. Phys. Lett 91
影响因子: --
作者: [M. Izaki, H. Shishido, T. Kato, T. Shibauchi, Y. Matsuda and T. Terashima]
通讯作者: Y. Matsuda and T. Terashima
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    遷移金属ケイ化物キラル薄膜によるスピン偏極エレクトロニクスの創成
    • 批准号:
      23K23212
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $2.16万
    • 财政年份:
      2024
    • 负责人:
      宍戸 寛明
    • 依托单位:
    Construction of spin-polarized electronics by the transition metal silicide chiral thin films
    • 批准号:
      22H01944
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.23万
    • 财政年份:
      2022
    • 负责人:
      宍戸 寛明
    • 依托单位:
    高圧下での重い電子系のドハース・ファンアルフェン効果の研究
    • 批准号:
      04J07962
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.22万
    • 财政年份:
      2004
    • 负责人:
      宍戸 寛明
    • 依托单位:
    海外基金