高性能三次元素子を目指したALD法による金属酸化物半導体の薄膜形成技術の研究
高性能三次元素子を目指したALD法による金属酸化物半導体の薄膜形成技術の研究
针对高性能三次元元素的ALD法金属氧化物半导体薄膜形成技术研究
批准号：
23K23226
负责人：
浦岡 行治
金额：
$3.41万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2025-03-31
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会议论文
Research on thin film formation technology of metal oxide semiconductors by ALD method aiming at high-performance three-dimensional devices
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批准号：22H01958
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.15万
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财政年份：2022
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负责人：浦岡 行治
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依托单位：