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Research on thin film formation technology of metal oxide semiconductors by ALD method aiming at high-performance three-dimensional devices
针对高性能三维器件的ALD法金属氧化物半导体薄膜形成技术研究
基本信息
- 批准号：22H01958
- 负责人：
- 金额：$ 11.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2022
- 资助国家：日本
- 起止时间：2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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