Research on thin film formation technology of metal oxide semiconductors by ALD method aiming at high-performance three-dimensional devices
针对高性能三维器件的ALD法金属氧化物半导体薄膜形成技术研究
基本信息
- 批准号:22H01958
- 负责人:
- 金额:$ 11.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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