Research on thin film formation technology of metal oxide semiconductors by ALD method aiming at high-performance three-dimensional devices

针对高性能三维器件的ALD法金属氧化物半导体薄膜形成技术研究

基本信息

  • 批准号:
    22H01958
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-04-01 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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浦岡 行治其他文献

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  • 发表时间:
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    上沼睦典
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    上沼睦典
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  • 通讯作者:
    浦岡 行治
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  • 通讯作者:
    浦岡 行治

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    2002
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    $ 11.15万
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