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金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写

金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写
使用金属缓冲层上的氮化硼生长基于 GaN 的器件结构及其机械转移
批准号：
23K23236
负责人：
小林 康之
金额：
$4.66万
依托单位：
Hirosaki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K23236/
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金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写
  • 批准号：
    22H01968
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $9.98万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    小林 康之
  • 依托单位：
    Hirosaki University