サイト選択元素置換によるシリサイド半導体の光学機能創出
サイト選択元素置換によるシリサイド半導体の光学機能創出
通过位点选择性元素替代在硅化物半导体中创建光学功能
批准号：
23K26144
负责人：
寺井 慶和
金额：
$6.82万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
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会议论文
Site-selective element substitutions to enhance optical properties of silicide semiconductors
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批准号：23H01450
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.81万
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财政年份：2023
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负责人：寺井 慶和
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依托单位：
鉄シリサイド半導体での磁性誘起と発現機構の解明
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批准号：15760010
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.79万
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财政年份：2003
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负责人：寺井 慶和
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依托单位：