Site-selective element substitutions to enhance optical properties of silicide semiconductors
Site-selective element substitutions to enhance optical properties of silicide semiconductors
位点选择性元素替代以增强硅化物半导体的光学性能
批准号：
23H01450
负责人：
寺井 慶和
金额：
$11.81万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
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サイト選択元素置換によるシリサイド半導体の光学機能創出
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批准号：23K26144
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$6.82万
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财政年份：2024
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负责人：寺井 慶和
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依托单位：
鉄シリサイド半導体での磁性誘起と発現機構の解明
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批准号：15760010
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.79万
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财政年份：2003
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负责人：寺井 慶和
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依托单位：