層間挿入によるh-BNの半導体化とベータボルタ電池応用
層間挿入によるh-BNの半導体化とベータボルタ電池応用
层间插入六方氮化硼的半导体化和β伏打电池应用
批准号：
23K26150
负责人：
山田 貴壽
金额：
$8.49万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2027-03-31
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層間挿入によるh-BNの半導体化とベータボルタ電池応用
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批准号：23H01456
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.65万
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财政年份：2023
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负责人：山田 貴壽
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依托单位：