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層間挿入によるh-BNの半導体化とベータボルタ電池応用

層間挿入によるh-BNの半導体化とベータボルタ電池応用
层间插入六方氮化硼的半导体化和β伏打电池应用
批准号：
23H01456
负责人：
山田 貴壽
金额：
$11.65万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2027-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23H01456/
关键词：
六方晶窒化ホウ素ドーピングベータボルタ電池

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