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低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究

低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究
高压应力击穿机理研究,实现低损耗GaN功率IC
批准号:
23K26163
负责人:
齋藤 渉
金额:
$6.82万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-02-28 至 2027-03-31
关键词:

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低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究
  • 批准号:
    23H01469
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $11.98万
  • 财政年份:
    2023
  • 负责人:
    齋藤 渉
  • 依托单位:
Enlightenment - Narrative - Conspiracy: Comparative Studies on Social Change and its Narrative Structure in the 18th Century Europe
  • 批准号:
    21H04340
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $23.8万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    齋藤 渉
  • 依托单位:
金属・絶縁体ヘテロ構造を用いた電界制御型量子効果素子に関する基礎研究
  • 批准号:
    96J05166
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1998
  • 负责人:
    齋藤 渉
  • 依托单位: