低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究
高压应力击穿机理研究,实现低损耗GaN功率IC
基本信息
- 批准号:23H01469
- 负责人:
- 金额:$ 11.98万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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