低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究

高压应力击穿机理研究,实现低损耗GaN功率IC

基本信息

  • 批准号:
    23H01469
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.98万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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  • 资助金额:
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