低融点金属液相を反応場とした半導体気相成長プロセスの開拓
低融点金属液相を反応場とした半導体気相成長プロセスの開拓
以低熔点金属液相为反应场的半导体气相生长工艺的开发
批准号：
23K26432
负责人：
野瀬 嘉太郎
金额：
$8.74万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
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低融点金属液相を反応場とした半導体気相成長プロセスの開拓
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批准号：23H01739
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.9万
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财政年份：2023
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负责人：野瀬 嘉太郎
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依托单位：
新成長法「中心凝固キャスト成長法」によるシリコン結晶の成長とその有用性の実証
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批准号：18760006
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.3万
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财政年份：2006
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负责人：野瀬 嘉太郎
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依托单位：