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自在積層したRashba・トポロジカル系原子層薄膜のスピン電子状態の解明

自在積層したRashba・トポロジカル系原子層薄膜のスピン電子状態の解明
阐明自由堆叠的 Rashba/拓扑原子层薄膜的自旋电子态
批准号：
23K26546
负责人：
高山 あかり
金额：
$6.99万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K26546/
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Electronic states of artificially-stacked atomic-layer thinfilms with Rashba effect and topological electronic states
  • 批准号：
    23H01853
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $12.06万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    高山 あかり
  • 依托单位：
    Waseda University
スピン分解超高分解能光電子分光装置の建設と磁性表面薄膜の研究
  • 批准号：
    10J02771
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    高山 あかり
  • 依托单位：
    Tohoku University