Electronic states of artificially-stacked atomic-layer thinfilms with Rashba effect and topological electronic states

具有Rashba效应的人工堆叠原子层薄膜的电子态和拓扑电子态

基本信息

  • 批准号:
    23H01853
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.06万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

高山 あかり其他文献

カルシウム・インタカレートした2層グラフェンの超伝導
钙插层双层石墨烯的超导性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    一ノ倉 聖;菅原 克明;高山 あかり;高橋 隆;長谷川修司
  • 通讯作者:
    長谷川修司
Modern Technologies for Creating the Thin-film Systems and Coatings
用于创建薄膜系统和涂层的现代技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    相谷 昌紀;一ノ倉 聖;花塚 真大;保原 麗;高山 あかり;秋山 了太;長谷川 修司;A. Takayama
  • 通讯作者:
    A. Takayama

高山 あかり的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('高山 あかり', 18)}}的其他基金

自在積層したRashba・トポロジカル系原子層薄膜のスピン電子状態の解明
阐明自由堆叠的 Rashba/拓扑原子层薄膜的自旋电子态
  • 批准号:
    23K26546
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
スピン分解超高分解能光電子分光装置の建設と磁性表面薄膜の研究
自旋分辨超高分辨率光电子能谱仪的构建及磁性表面薄膜的研究
  • 批准号:
    10J02771
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

相似海外基金

高分解能角度分解光電子分光による新規遷移金属カルコゲナイド原子層薄膜の探索
使用高分辨率角分辨光电子能谱寻找新型过渡金属硫族化物原子层薄膜
  • 批准号:
    24KJ0425
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
表面超敏感型同軸型直衝突イオン散乱分光法の開拓と単原子層薄膜の構造解析への応用
表面超灵敏同轴直接碰撞离子散射光谱的研制及其在单原子层薄膜结构分析中的应用
  • 批准号:
    23K26544
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
自在積層したRashba・トポロジカル系原子層薄膜のスピン電子状態の解明
阐明自由堆叠的 Rashba/拓扑原子层薄膜的自旋电子态
  • 批准号:
    23K26546
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
表面超敏感型同軸型直衝突イオン散乱分光法の開拓と単原子層薄膜の構造解析への応用
表面超灵敏同轴直接碰撞离子散射光谱的研制及其在单原子层薄膜结构分析中的应用
  • 批准号:
    23H01851
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
遷移金属ダイカルコゲナイド原子層薄膜のスピン・角度分解光電子分光
过渡金属二硫属化物原子层薄膜的自旋和角分辨光电子能谱
  • 批准号:
    22KJ0270
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
非可換幾何学による原子層薄膜積層系の理論手法開発
使用非交换几何学开发原子层薄膜堆叠系统的理论方法
  • 批准号:
    23K17665
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
人工的な素励起生成による原子層薄膜の量子多体制御の研究
人工基元激发产生原子层薄膜量子多体控制研究
  • 批准号:
    22KJ2180
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
二次元ファンデルワールス原子層薄膜における室温強磁性の起源解明
阐明二维范德华原子层薄膜中室温铁磁性的起源
  • 批准号:
    19J00858
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
液体ヘリウム4薄膜上ヘリウム3単原子層薄膜の2次元凝集現象における量子効果
单原子层氦3在液氦4薄膜上二维团聚现象的量子效应
  • 批准号:
    10120202
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
液体ヘリウム3単原子層薄膜を用いた2次元フェルミ流体の研究
利用液氦-3单原子层薄膜研究二维费米流体
  • 批准号:
    09740266
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 12.06万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了