Electronic states of artificially-stacked atomic-layer thinfilms with Rashba effect and topological electronic states
Electronic states of artificially-stacked atomic-layer thinfilms with Rashba effect and topological electronic states
具有Rashba效应的人工堆叠原子层薄膜的电子态和拓扑电子态
批准号：
23H01853
负责人：
高山 あかり
金额：
$12.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
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会议论文
自在積層したRashba・トポロジカル系原子層薄膜のスピン電子状態の解明
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批准号：23K26546
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$6.99万
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财政年份：2024
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负责人：高山 あかり
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依托单位：
スピン分解超高分解能光電子分光装置の建設と磁性表面薄膜の研究
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批准号：10J02771
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.34万
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财政年份：2010
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负责人：高山 あかり
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依托单位：
海外基金
