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4元混晶AlGaInN分極ドーピング層を用いたヘテロバイポーラトランジスタの作製

4元混晶AlGaInN分極ドーピング層を用いたヘテロバイポーラトランジスタの作製
四元混晶AlGaInN极化掺杂层制作异质双极晶体管
批准号：
23K26559
负责人：
本田 善央
金额：
$7.99万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K26559/
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Hetero-bipolar transistors with quaternary mixed AlGaInN polarized doping layers
  • 批准号：
    23H01866
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.98万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    本田 善央
  • 依托单位：
    Nagoya University
High speed growth of pn junction by HVPE for fabrication of SJ diod
  • 批准号：
    22K18808
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 资助金额：
    $4.16万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    本田 善央
  • 依托单位：
    Nagoya University
加工Si基板上(1-101)及び(11-22)GaNへのInGaNヘテロ成長
  • 批准号：
    19032005
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $4.35万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    本田 善央
  • 依托单位：
    Nagoya University
Si基板上A1Nテンプレートを用いたHVPE法による厚膜GaNバルク結晶の作製
  • 批准号：
    16760252
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.37万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    本田 善央
  • 依托单位：
    Nagoya University