Hetero-bipolar transistors with quaternary mixed AlGaInN polarized doping layers
具有四元混合 AlGaInN 极化掺杂层的异质双极晶体管
基本信息
- 批准号:23H01866
- 负责人:
- 金额:$ 11.98万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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- 作者:
林 幸佑;中川 央也;宮澤 篤也;川崎 晟也;本田 善央;天野 浩;井上 翼;青木 徹;中野 貴之;井口由布 - 通讯作者:
井口由布
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