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Hetero-bipolar transistors with quaternary mixed AlGaInN polarized doping layers
具有四元混合 AlGaInN 极化掺杂层的异质双极晶体管
基本信息
- 批准号：23H01866
- 负责人：
- 金额：$ 11.98万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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- 影响因子：0
- 作者：
林 幸佑;中川 央也;宮澤 篤也;川崎 晟也;本田 善央;天野 浩;井上 翼;青木 徹;中野 貴之;井口由布 - 通讯作者：
井口由布
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Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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