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化学結合記述子の構築に向けた空孔支配型材料のハイスループット研究

化学結合記述子の構築に向けた空孔支配型材料のハイスループット研究
用于构建化学键描述符的空位主导材料的高通量研究
批准号：
23KF0224
负责人：
大場 史康
金额：
$1.28万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-11-15 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23KF0224/
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オキシカルコゲナイドの欠陥学理の構築とワイドギャップ半導体の設計・開拓への展開
  • 批准号：
    24H00376
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $30.45万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    大場 史康
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
First-principles design of low-dimensional perovskites for white light emission
  • 批准号：
    23KF0030
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    大場 史康
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ワイドギャップ半導体におけるケミカルドーピングの学理構築と新材料開拓
  • 批准号：
    20H00302
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $28.54万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    大場 史康
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
２次元単層物質ヘテロ接合による光吸収層の第一原理計算による検討