2次元単層物質ヘテロ接合による光吸収層の第一原理計算による検討
2次元単層物質ヘテロ接合による光吸収層の第一原理計算による検討
批准号:
14F04792
负责人:
大場 史康
金额:
$1.47万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-25 至 2017-03-31
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英文摘要
第一原理計算により2次元層状物質等の新しい光吸収層代替材料を効率的に設計・探索することを目指して、3つのサブテーマに関して研究を行った。サブテーマ1「2次元材料の電子・光学特性の理論予測」に関する主要な成果として、2次元構造を有するSnカルコゲナイドの電子・光学物性、相安定性並びに点欠陥形成挙動とキャリア生成機構の解明が挙げられる。(Chemistry of Materials 2016, Physical Review Letters 2016, Physical Review Applied 2017他)サブテーマ2「進化的アルゴリズムによる新物質の結晶構造探索」の成果として、11種類の新規3元系亜鉛窒化物半導体の予測が挙げられる。そのうち、直接遷移型のバンド構造、小さい電子・ホール有効質量等、半導体として有望な特性を有することが理論予測され、かつ構成元素に希少元素を含まないCaZn2N2について、予測された赤色発光等の電子・光学特性を実験を担当した共同研究者が実証することに成功している。(Nature Communications 2016)サブテーマ3「薄膜太陽電池のための積層構造の設計とヘテロ界面の特性の予測」に関する主な成果として、SnSと金属電極界面の計算から、SnSを光吸収層に用いた薄膜太陽電池の効率向上のための電極材料を提案した。(Journal of Materials Chemistry A, 印刷中)
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University of Liverpool/University of Bath/Imperial College London(英国)
利物浦大学/巴斯大学/伦敦帝国学院(英国)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
University of Bath(英国)
巴斯大学(英国)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Lee A. Burton, Thomas J. Whittles, David Hesp, Wojciech M. Linhart, Jonathan M. Skelton, Bo Hou, Richard F. Webster, Graeme O'Dowd, Christian Reece, David Cherns, David J. Fermin, Tim D. Veal, Vin R. Dhanak, and Aron Walsh, Lee A Burton and Fumiyasu Oba, Lee A Burton and Fumiyasu Oba, Lee A Burton and Fumiyasu Oba]
通讯作者:
Lee A Burton and Fumiyasu Oba
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Lee A. Burton, Thomas J. Whittles, David Hesp, Wojciech M. Linhart, Jonathan M. Skelton, Bo Hou, Richard F. Webster, Graeme O'Dowd, Christian Reece, David Cherns, David J. Fermin, Tim D. Veal, Vin R. Dhanak, and Aron Walsh, Lee A Burton and Fumiyasu Oba, Lee A Burton and Fumiyasu Oba, Lee A Burton and Fumiyasu Oba, Lee A Burton and Fumiyasu Oba, L. A. Burton and F. Oba]
通讯作者:
L. A. Burton and F. Oba
DOI:
10.1103/physrevlett.117.075502
发表时间:
2016-08-10
期刊:
PHYSICAL REVIEW LETTERS
影响因子:
8.6
作者:
[Skelton, Jonathan M., Burton, Lee A., Tanaka, Isao]
通讯作者:
Tanaka, Isao
共 8 条
オキシカルコゲナイドの欠陥学理の構築とワイドギャップ半導体の設計・開拓への展開
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批准号:24H00376
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.45万
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财政年份:2024
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负责人:大場 史康
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依托单位:
First-principles design of low-dimensional perovskites for white light emission
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批准号:23KF0030
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2023
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负责人:大場 史康
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依托单位:
化学結合記述子の構築に向けた空孔支配型材料のハイスループット研究
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批准号:23KF0224
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2023
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负责人:大場 史康
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依托单位:
ワイドギャップ半導体におけるケミカルドーピングの学理構築と新材料開拓
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批准号:20H00302
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.54万
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财政年份:2020
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负责人:大場 史康
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依托单位:
層間ドーピングによる六方晶窒化ホウ素の光電子機能設計
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批准号:17760527
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2005
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负责人:大場 史康
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依托单位:
イオニクス材料における反応素過程の量子力学シミュレーションと材料設計
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批准号:17041007
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.54万
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财政年份:2005
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负责人:大場 史康
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依托单位:
セラミックス粒界の定量化と機能設計
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批准号:01J05273
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2001
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负责人:大場 史康
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依托单位:
海外基金