シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生
シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生
基于硅MOS结构的电子流体电子器件的创建
批准号：
24H00312
负责人：
小野 行徳
金额：
$29.79万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2028-03-31
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会议论文
Superconductivity based on Si MOS structure
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批准号：22K18294
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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资助金额：$16.56万
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财政年份：2022
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负责人：小野 行徳
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依托单位：
電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究
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批准号：20H00241
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$26.87万
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财政年份：2020
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负责人：小野 行徳
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依托单位：