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SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御

SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
正确理解SiC表面和界面上发生的独特现象，并基于该理解控制MOS界面特性
批准号：
24H00308
负责人：
喜多 浩之
金额：
$31.53万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24H00308/
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Interface charge engineering for manipulation of band alignment at dielectric interfaces and demonstration of its impact on device characteristics
  • 批准号：
    21H04550
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $27.21万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    喜多 浩之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
抵抗変化メモリーにおける酸化物/電極界面の電気特性と酸化物内結果準位の相関の解明
  • 批准号：
    20035003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $3.33万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    喜多 浩之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
高誘電率絶縁膜-シリコン界面における界面反応層の形成・消失過程の解明
  • 批准号：
    16760563
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    喜多 浩之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
太陽電池用高品質多結晶シリコンの新規製造プロセス
  • 批准号：
    00J09254
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    喜多 浩之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo