SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
正确理解SiC表面和界面上发生的独特现象,并基于该理解控制MOS界面特性
基本信息
- 批准号:24H00308
- 负责人:
- 金额:$ 31.53万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2024
- 资助国家:日本
- 起止时间:2024-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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