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SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
正确理解SiC表面和界面上发生的独特现象，并基于该理解控制MOS界面特性
基本信息
- 批准号：24H00308
- 负责人：
- 金额：$ 31.53万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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