トンネルFET構造による3D-NANDフラッシュメモリの超多値化

采用隧道 FET 结构的超多值 3D-NAND 闪存

基本信息

  • 批准号:
    24K00935
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.81万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    田中 徹
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木野 久志;池ヶ谷 俊介;小柳 光正;田中 徹;池原伸明,宮原秀敏,松嶋徹,久門尚史,和田修己
  • 通讯作者:
    池原伸明,宮原秀敏,松嶋徹,久門尚史,和田修己
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    煤孫 祐樹;Qian Zhengyang;髙橋 則之;木野 久志; 田中 徹;福島 誉史
  • 通讯作者:
    福島 誉史
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运动命令从小脑深部核转移到运动皮层
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    竹澤 好樹;下川 賢士;銭正よう;福島 奨;木野 久志;福島 誉史;清山 浩司;田中 徹;横川慎二;佐竹亮一郎・冨澤奈岐沙・若井明彦・王功輝・古谷元;佐野 暢哉, 中山 義久 , 星 英司 , 知見 聡美, 南部 篤, 西村 幸男
  • 通讯作者:
    佐野 暢哉, 中山 義久 , 星 英司 , 知見 聡美, 南部 篤, 西村 幸男
鉄系メタルコンポジット磁心カップルドインダクタの試作と5 V-1 V・30 A,1MHz降圧 DC-DCコンバータへの適用
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    柴本大輔,上野敦也,杉村佳奈子,平山涼介,佐藤紘介,佐藤敏郎,曽根原誠

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