不揮発性トンネルFETメモリを用いたスパイキングニューラルネットワークの構築
不揮発性トンネルFETメモリを用いたスパイキングニューラルネットワークの構築
使用非易失性隧道 FET 存储器构建尖峰神经网络
批准号：
22KK0245
负责人：
木野 久志
金额：
$9.9万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023 至 2025
关键词：
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会议论文
トンネルFET構造による3D-NANDフラッシュメモリの超多値化
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批准号：24K00935
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.81万
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财政年份：2024
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负责人：木野 久志
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依托单位：
海外基金
