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高感度電子スピン共鳴法の開発とこれを用いたナノMOSトランジスタのRTN欠陥解析

高感度電子スピン共鳴法の開発とこれを用いたナノMOSトランジスタのRTN欠陥解析
开发高灵敏度电子自旋共振方法并利用该方法分析nanoMOS晶体管中的RTN缺陷
批准号:
24K00942
负责人:
堀 匡寛
金额:
$11.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2027-03-31
关键词:

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シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現
  • 批准号:
    20H02203
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $11.15万
  • 财政年份:
    2020
  • 负责人:
    堀 匡寛
  • 依托单位:
シングルイオン注入法を用いたシングルドーパントデバイス創製に関する研究