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Study of ferroelectricity of rare-earth transition binary oxide material
稀土过渡二元氧化物材料的铁电性研究
基本信息
- 批准号：16K14225
- 负责人：
- 金额：$ 2.25万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（25）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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Shibayama Shigehisa其他文献
Impact of oxide/4H-SiC interface state density on field-effect mobility of counter-doped n-channel 4H-SiC MOSFETs
氧化物/4H-SiC 界面态密度对反掺杂 n 沟道 4H-SiC MOSFET 场效应迁移率的影响
- DOI：
10.35848/1347-4065/ac4555 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Doi Takuma;Shibayama Shigehisa;Sakashita Mitsuo;Taoka Noriyuki;Shimizu Mitsuaki;Nakatsuka Osamu - 通讯作者：
Nakatsuka Osamu
Low-temperature formation of Mg/n-type 4H-SiC ohmic contacts with atomically flat interface by lowering of Schottky barrier height
通过降低肖特基势垒高度低温形成具有原子级平坦界面的 Mg/n 型 4H-SiC 欧姆接触
- DOI：
10.35848/1882-0786/ac407f - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Doi Takuma;Shibayama Shigehisa;Sakashita Mitsuo;Kojima Kazutoshi;Shimizu Mitsuaki;Nakatsuka Osamu - 通讯作者：
Nakatsuka Osamu
統治の原理としての幸福――18世紀ドイツ語圏における官房学の言説と実践――
作为治理原则的幸福：18世纪德语世界内阁研究的话语与实践
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Doi Takuma;Shibayama Shigehisa;Takeuchi Wakana;Sakashita Mitsuo;Taoka Noriyuki;Shimizu Mitsuaki;Nakatsuka Osamu;大林侑平 - 通讯作者：
大林侑平
Lattice-matched growth of high-Sn-content (x~0.1) Si1-xSnx layers on Si1-yGey buffers using molecular beam epitaxy
使用分子束外延在 Si1-yGey 缓冲区上晶格匹配生长高 Sn 含量 (x~0.1) Si1-xSnx 层
- DOI：
10.35848/1882-0786/acc3da - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Fujimoto Kazuaki;Kurosawa Masashi;Shibayama Shigehisa;Sakashita Mitsuo;Nakatsuka Osamu - 通讯作者：
Nakatsuka Osamu
Shibayama Shigehisa的其他文献
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