Oscillatory structure with a frequency of THz range using ferroelectric polarization and the enhancement by electric field

利用铁电极化和电场增强的太赫兹频率振荡结构

• 批准号: 16K14235
• 负责人: Norifumi Fujimura
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: Osaka Prefecture University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K14235/
• 关键词: THz発振; 強相関係物質; 強誘電体; 光誘起電流; YMnO3; 強相関強誘電体; THz電磁波

项目成果

(111)SrTiO3基板上への(Ba,La)SnO3薄膜の結晶成長 Fabrication of (Ba,La )SnO3 films on (111 )SrTiO3 substrate

(111)SrTiO3 基底上 (Ba,La)SnO3 薄膜的制备

• 发表时间: 2016
• 期刊: 材料
• 作者: Ryo Kashimoto;Takeshi Yoshimura;Atsushi Ashida;Norifumi Fujimura;三浦 光平，樫本 涼，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文
• 通讯作者: 三浦 光平，樫本 涼，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文

Low temperature formation of highly resistive ZnO films using nonequilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure

利用近大气压产生的非平衡 N2/O2 等离子体低温形成高阻 ZnO 薄膜

• DOI: 10.1016/j.tsf.2016.09.009
• 发表时间: 2016
• 期刊: Thin Solid Films
• 影响因子: 2.1
• 作者: Yukinori Nose;Takeshi Yoshimura;Atsushi Ashida;Tsuyoshi Uehara;Norifumi Fujimura
• 通讯作者: Norifumi Fujimura

非鉛強誘電体薄膜を用いた圧電MEMS振動発電

使用无铅铁电薄膜的压电MEMS振动发电

• 发表时间: 2014
• 作者: 吉村 武;藤村 紀文
• 通讯作者: 藤村 紀文

The growth of ASnO3 (A = Sr, Ba) epitaxial films by rf magnetron sputtering and the electrical properties

射频磁控溅射ASnO3（A=Sr、Ba）外延薄膜的生长及其电性能

• 发表时间: 2018
• 作者: I.Kanagawa;T.Yoshimura;and N.Fujimura
• 通讯作者: and N.Fujimura

MoS2のキャリア制御を志向した分子接合界面の状態制御

以MoS2载流子控制为目标的分子键合界面状态控制

• 发表时间: 2017
• 作者: T. Nakamura;K. Masuda;N. Yoshimura.;Kengo Kawamura;一宮 永，三浦 光平，吉村 武，芦田 淳， 藤村 紀文，桐谷 乃輔
• 通讯作者: 一宮 永，三浦 光平，吉村 武，芦田 淳， 藤村 紀文，桐谷 乃輔