Oscillatory structure with a frequency of THz range using ferroelectric polarization and the enhancement by electric field
Oscillatory structure with a frequency of THz range using ferroelectric polarization and the enhancement by electric field
利用铁电极化和电场增强的太赫兹频率振荡结构
批准号：
16K14235
负责人：
Norifumi Fujimura
金额：
$2.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
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(111)SrTiO3基板上への(Ba,La)SnO3薄膜の結晶成長 Fabrication of (Ba,La )SnO3 films on (111 )SrTiO3 substrate
(111)SrTiO3 基底上 (Ba,La)SnO3 薄膜的制备
(111)SrTiO3 基底上 (Ba,La)SnO3 薄膜的制备
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
材料
影响因子：
--
作者：
[Ryo Kashimoto, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, 三浦 光平，樫本 涼，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文]
通讯作者：
三浦 光平，樫本 涼，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文
Low temperature formation of highly resistive ZnO films using nonequilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure
利用近大气压产生的非平衡 N2/O2 等离子体低温形成高阻 ZnO 薄膜
利用近大气压产生的非平衡 N2/O2 等离子体低温形成高阻 ZnO 薄膜
DOI：
10.1016/j.tsf.2016.09.009
发表时间：
2016
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
[Yukinori Nose, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Tsuyoshi Uehara, Norifumi Fujimura]
通讯作者：
Norifumi Fujimura
非鉛強誘電体薄膜を用いた圧電MEMS振動発電
使用无铅铁电薄膜的压电MEMS振动发电
使用无铅铁电薄膜的压电MEMS振动发电
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉村 武, 藤村 紀文]
通讯作者：
藤村 紀文
The growth of ASnO3 (A = Sr, Ba) epitaxial films by rf magnetron sputtering and the electrical properties
射频磁控溅射ASnO3（A=Sr、Ba）外延薄膜的生长及其电性能
射频磁控溅射ASnO3（A=Sr、Ba）外延薄膜的生长及其电性能
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[I.Kanagawa, T.Yoshimura, and N.Fujimura]
通讯作者：
and N.Fujimura
MoS2のキャリア制御を志向した分子接合界面の状態制御
以MoS2载流子控制为目标的分子键合界面状态控制
以MoS2载流子控制为目标的分子键合界面状态控制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nakamura, K. Masuda, N. Yoshimura., Kengo Kawamura, 一宮 永，三浦 光平，吉村 武，芦田 淳， 藤村 紀文，桐谷 乃輔]
通讯作者：
一宮 永，三浦 光平，吉村 武，芦田 淳， 藤村 紀文，桐谷 乃輔
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