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Development of single dopant circuit by deterministic doping and application to stochastic processing
通过确定性掺杂开发单掺杂剂电路及其在随机处理中的应用
基本信息
- 批准号：16K14242
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（28）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Design of Slime-mold-inspired Multi-layered Single-electron-circuit
受粘菌启发的多层单电子电路的设计
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Jun Shibayama;Masato Ito;Junji Yamauchi;and Hisamatsu Nakano;Guo-Wei Lu;K. Satomi and T. Oya
- 通讯作者：K. Satomi and T. Oya
Design of single-molecule information-processing circuit mimicking foraging and information sharing behaviors of honeybees
模拟蜜蜂觅食和信息共享行为的单分子信息处理电路设计
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Tanabe;T. Oya
- 通讯作者：T. Oya
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- 作者：
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Shinada Takahiro其他文献
Distribution of Single-Ion Implanted Dopants in Silicon Investigated by Atom Probe Tomography
通过原子探针断层扫描研究硅中单离子注入掺杂剂的分布
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tu Yuan;Han Bin;Shimizu Yasuo;Inoue Koji;Yano Maasa;Chiba Yuki;Tanii Takashi;Shinada Takahiro;Nagai Yasuyoshi - 通讯作者：
Nagai Yasuyoshi
Position‐Controlled Functionalization of Vacancies in Silicon by Single‐Ion Implanted Germanium Atoms
单离子注入锗原子对硅空位的位置控制功能化
- DOI：
10.1002/adfm.202011175 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：19
- 作者：
Achilli Simona;Le Nguyen H.;Fratesi Guido;Manini Nicola;Onida Giovanni;Turchetti Marco;Ferrari Giorgio;Shinada Takahiro;Tanii Takashi;Prati Enrico - 通讯作者：
Prati Enrico
Shinada Takahiro的其他文献
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{{ truncateString('Shinada Takahiro', 18)}}的其他基金
Development of single dopant circuit by deterministic doping and application to stochastic processing
通过确定性掺杂开发单掺杂剂电路及其在随机处理中的应用
- 批准号：
18H03766 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Control of quantum material properties by deterministic doping method
通过确定性掺杂方法控制量子材料特性
- 批准号：
25289109 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)