权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Demonstration of quantum state conversion between photon polarization and electron spin states by manipulation of a single photo-excited electron spin

通过操纵单个光激发电子自旋来演示光子偏振和电子自旋态之间的量子态转换

基本信息

批准号：
22KJ2076
负责人：
福田源希
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
起止时间：
2023-03-08 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

まず、昨年度末から続いて非ドープ型GaAs/AlGaAs量子井戸基板を用いた面内p-i-n接合素子において3He冷凍機を用いた磁気輸送特性の測定を行った。量子ホールエッジ状態が形成される面直高磁場下でpn接合間に順バイアス電流を流し縦抵抗を測定したところ、p側とn側のトップゲート電圧の変化に対して縦抵抗が量子化している振る舞いが見られた。これはp領域とn領域それぞれに形成されたエッジチャネルを介したpn接合間の伝導を示唆していると考えており、スピン偏極したpn接合間の伝導による偏光発光の可能性を示している。しかし、デバイスの動作不良により電荷密度などのデータの不足があり詳細な議論には素子構造の改善や追加の測定が必要となっている。また、昨年度以前に行った非ドープ型GaAs量子ドットに対する光照射の実験に関して論文化するにあたって、LEDを使用した光照射の極低温化での波長と照射強度の確認・見積もりを行った。量子井戸の励起波長の光が照射されていたことや光子照射数と光子吸収効率に対する得られた光励起電子の信号数の妥当性が得られ、これまでの議論に破綻がないことを確かにした。光照射に対して安定した量子ドット素子の開発に関しては、短周期超格子中のGaAsへドーピングによりDXセンターの低減を狙って作製された構造の評価を行った。光照射に対する電子密度や量子ドット電極によるピンチオフ電圧の変化が飽和したことを確認でき、光子から電子への量子状態変換を行うための素子として有用性を示した。一方、短周期超格子中へのドーピングに起因したより大きなピンチオフ電圧や時間経過によるオーミック抵抗の増大などの課題も確認されており、量子ドットを動作させるには改善が必要であることが分かった。

At the end of last year, the substrate of the non-destructive GaAs/AlGaAs quantum well was used to determine the performance of the 3He cold machine by means of in-plane p-i-n bonding. In the high magnetic field, the pn junction is connected to the current current. The current current is sensitive to the current current. The current current is sensitive to the current current. In the field of information technology, there is a significant difference in the possibility of polarizing light between pn joints and the possibility of polarization in pn joints. Poor behavior, poor behavior, poor charge density, low charge density, low energy consumption, low charge density, low energy consumption, low charge density, low charge density, low charge Before the year of last year, the non-thermal GaAs quantum emission light was used to illuminate the culture. The LED was irradiated at very low temperature to make sure that the intensity of the radiation was very low. The quantum well excitates the wave length to irradiate the photon, the photon absorption rate, the photon absorption rate, the appropriate number of photon excitation signals, and the breakdown temperature to make sure that the temperature is high. The light irradiates the light to determine the stability of the substrates, and the GaAs radiation in the short-period hyperlattice is sensitive to the temperature of the DX. The density of the photon, the density of the electron, the density of the electron, the On the one hand, in the short-period superlattice, the cause of the accident is due to the failure of the computer in the short-period superlattice, the cause of the accident in the short-period superlattice, the cause of the accident in the short-period superlattice, the cause of the accident in the short-period superlattice, the cause of the accident in the short-period superlattice, the cause of the accident in the short-period superlattice, the cause of the accident in the short-period superlattice, the cause of the accident in the short-period superlattice, the cause of the accident in the short-period superlattice, the cause of the accident in the short-period superlattice, and the action to improve the necessary distribution.