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Development of photonic-system-on-chip technology

光子片上系统技术的发展

基本信息

批准号：
24651163
负责人：
SASAGAWA Kiyotaka
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Nara Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24651163/
关键词：
マイクロセンサーマイクロ光システムイメージセンサー

项目摘要

On-chip photonic devices based on wiring layers of CMOS process were designed and fabricated. The devices can be monolithically integrated, for example, on images sensors. Its structure is a metal grating on an image sensor pixel, which has characteristics of polarization separation and wavelength dependence. By using recent advanced CMOS processes, the pitches of the metal grating with wiring layers can be designed finer than visible wavelengths. In this study, the extinction ratio of approximately 100 was successfully achieved by using 65-nm process.

设计并制作了基于CMOS工艺布线层的片上光子器件。这些设备可以单片集成，例如，图像传感器。它的结构是在图像传感器像素上的金属光栅，具有偏振分离和波长依赖的特性。利用最新先进的CMOS工艺，可以设计出比可见波长更细的带布线层的金属光栅。本研究采用65nm工艺，成功实现了约100的消光比。

项目成果

期刊论文数量（19）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

偏光分析CMOS イメージセンサによるマイクロ化学システム用in situ 不斉計測デバイス

使用偏振分析 CMOS 图像传感器的微量化学系统原位手性测量装置

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
若間範充;松岡均;寺尾公維;芝田実希子;立川展也;野田俊彦;笹川清隆;徳田崇;西山靖浩;垣内喜代三;太田淳
通讯作者：
太田淳

65 nm 標準CMOS プロセスを用いた偏光分析CMOS イメージセンサの消光比評価

采用 65 nm 标准 CMOS 工艺的偏振分析 CMOS 图像传感器的消光比评估

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
若間範充;岡林大恭;野田俊彦;笹川清隆;徳田崇;垣内喜代三;太田淳
通讯作者：
太田淳

A polarization-analyzing CMOS image sensor with metal wire grid in 65-nm standard CMOS technology for in-situ chiral analysis

具有金属线栅的偏振分析 CMOS 图像传感器，采用 65 nm 标准 CMOS 技术，用于原位手性分析

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Norimitsu Wakama;Daisuke Okabayashi;Toshihiko Noda;Kiyotaka Sasagawa;Takashi Tokuda;Kiyomi Kakiuchi;Jun Ohta
通讯作者：
Jun Ohta

65nmプロセスを用いた二層構造オンチップメタル偏光子搭載イメージセンサ

采用 65nm 工艺的双层片上金属偏光片图像传感器

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Norimitsu Wakama;Nobuya Tachikawa;Kimitada Terao;Mikiko Shibata;Toshihiko Noda;Kiyotaka Sasagawa;Takashi Tokuda;Yasuhiro Nishiyama;Kiyomi Kakiuchi;Jun Ohta;若間範充,岡林大恭,野田俊彦,笹川清隆,徳田崇,垣内喜代三,太田淳;岡林大恭,若間範充,野田俊彦,笹川清隆,徳田崇,太田淳
通讯作者：
岡林大恭,若間範充,野田俊彦,笹川清隆,徳田崇,太田淳

On-chip metal wire grid polarizer for CMOS image sensor based on 65-nm technology