Cr-based metal antiferromagnetic film applicable for high intergration spin devices
Cr-based metal antiferromagnetic film applicable for high intergration spin devices
适用于高集成自旋器件的铬基金属反铁磁薄膜
批准号：
25630265
负责人：
NAKATANI Ryoichi
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
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反強磁性X相Cr3Al(001)薄膜の作製と交換バイアスの発現
反铁磁X相Cr3Al(001)薄膜的制备及交换偏压的表达
反铁磁X相Cr3Al(001)薄膜的制备及交换偏压的表达
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
信学技報（ICICE Technical Report）
影响因子：
--
作者：
[J Inoue, T Koseki, 播本祥太郎，白土 優，中谷亮一]
通讯作者：
播本祥太郎，白土 優，中谷亮一
X相Cr3Al(001)エピタキシャル薄膜の作製とAu/Co/ X相Cr3Al おける垂直交換磁気異方性
X相Cr3Al(001)外延薄膜的制备及Au/Co/X相Cr3Al中垂直交换磁各向异性
X相Cr3Al(001)外延薄膜的制备及Au/Co/X相Cr3Al中垂直交换磁各向异性
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J Inoue, T Koseki, 播本祥太郎，白土 優，中谷亮一, 播本祥太郎，白土 優，中谷亮一, 播本祥太郎，西村隆志，豊木研太郎，白土 優，中谷亮一]
通讯作者：
播本祥太郎，西村隆志，豊木研太郎，白土 優，中谷亮一
反強磁性Cr2O3薄膜を用いた垂直交換バイアスとその機能性
反铁磁Cr2O3薄膜的垂直交换偏压及其功能
反铁磁Cr2O3薄膜的垂直交换偏压及其功能
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J Inoue, T Koseki, 播本祥太郎，白土 優，中谷亮一, 播本祥太郎，白土 優，中谷亮一, 播本祥太郎，西村隆志，豊木研太郎，白土 優，中谷亮一, 白土 優]
通讯作者：
白土 優
Pependicular magnetic anisotropy at metarl/insulater interface toward spintronics devicies with low power consumption
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批准号：24360264
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.98万
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财政年份：2012
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负责人：NAKATANI Ryoichi
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依托单位：
Magnetic computing system
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批准号：15360335
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$9.86万
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财政年份：2003
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负责人：NAKATANI Ryoichi
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依托单位：
Ultra-High Density Magnetic Memory Cells
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批准号：12450013
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$9.6万
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财政年份：2000
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负责人：NAKATANI Ryoichi
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依托单位：
海外基金
