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Exploring of I-III-VI2 oxide semiconductors and their new functions
I-III-VI2氧化物半导体及其新功能的探索
基本信息
- 批准号：25630283
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（28）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
New Pseudo-Binary Alloying System of x(AgGaO2)1/2-(1-x)ZnO for Band Gap Narrowing of ZnO
用于缩小 ZnO 带隙的新型 x(AgGaO2)1/2-(1-x)ZnO 准二元合金体系
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：I. Suzuki;Y. Arima;M. Kita ,T. Omata
- 通讯作者：M. Kita ,T. Omata
First Principle Calculations of Electronic Band Structures of Wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2
纤锌矿β-CuGaO2和β-AgGaO2电子能带结构的第一性原理计算
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：I. Suzuki;H. Nagatani;M. Kita;Y. Iguchi;C. Sato;H. Yanagi;N. Ohashi and T. Omata.
- 通讯作者：N. Ohashi and T. Omata.
First Principle Calculation of Electronic Band Structure of Wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2
纤锌矿β-CuGaO2和β-AgGaO2电子能带结构的第一性原理计算
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：I. Suzuki;H. Nagatani;M. Kita;Y. Iguchi;C. Sato;H. Yanagi;N. Ohashi and T. Omata.
- 通讯作者：N. Ohashi and T. Omata.
A New Direct and Narrow Band Gap Oxide Semiconductor; Wurtzite CuGaO2
一种新型直接窄带隙氧化物半导体；
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：I. Suzuki;H. Nagatani;M. Kita;Y. Iguchi;C. Sato;H. Yanagi;N. Ohashi and T. Omata.;The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)
- 通讯作者：The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)
CuAlO2との混晶化よるβ-CuGaO2のバンドギャップエンジニアリング
通过与 CuAlO2 混合结晶实现 β-CuGaO2 的带隙工程
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：水野 裕貴;長谷 拓;鈴木 一誓;小俣 孝久
- 通讯作者：小俣 孝久
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